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垣花 将司*; 西村 憲吾*; 竹内 徹也*; 芳賀 芳範; 播磨 尚朝*; 辺土 正人*; 仲間 隆男*; 大貫 惇睦*
Journal of the Physical Society of Japan, 88(4), p.044712_1 - 044712_11, 2019/04
被引用回数：4 パーセンタイル：36.25(Physics, Multidisciplinary)Fermi surfaces of semimetallic YSb, LuSb, YBi and LuBi were investigated by de Haas-van Alphen effect. The Fermi surfaces consist of hole pockets arising from 
-bands from Sb or Bi and electron ellipsoids from 5
band of Y or Lu. Larger carrier number of YBi and LuBi is attributed to larger spin-orbit interaction of Bi-6 state than Sb-5.
Si as a reference to the strongly correlated isostructural metals investigated by quantum oscillations松本 裕司*; 芳賀 芳範; 立岩 尚之; 青木 晴善*; 木村 憲彰*; 山村 朝雄*; 山本 悦嗣; 松田 達磨*; Fisk, Z.*; 山上 浩志*
Journal of the Physical Society of Japan, 85(10), p.104709_1 - 104709_7, 2016/10
被引用回数：2 パーセンタイル：20.11(Physics, Multidisciplinary)dHvA oscillations were detected on an actinide compound ThRu
Si which is regarded as a reference to strongly correlated electron systems URuSi and CeRuSi. Observed Fermi surfaces well coincides with the band structure calculations, as well as experimentally obtained ones for a heavy fermion compound CeRuSi. On the other hand, Fermi surfaces of URuSi have significantly different characteristics, suggesting an itinerant ground state of 5f electrons.
松田 達磨; 芳賀 芳範; 宍戸 寛明*; 池田 修悟; 播磨 尚朝*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦
Physica B; Condensed Matter, 378-380, p.1021 - 1022, 2006/05
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Condensed Matter)ThInは、AuCu-typeの立方晶である。トリウム(Th)は、その電子配置に
電子を持たない。そのため特異な磁性は期待できないものの、金属間化合物中において価数は4価をとり、これはセリウム化合物において、電子が遍歴した状態と価数としては対応する。そのため、強相関電子系化合物研究において、トリウム化合物との電子状態の研究は、電子に起因する特異な磁性や超伝導状態を明らかにするうえで極めて重要である。最近われわれは、ThInの物質の純良単結晶育成を行い、ドハース・ファンアルフェン効果というフェルミ面の電子状態を反映する量子振動の観測に成功した。これにより、フェルミ面の極値断面積に対応する9.0
10
から9.3710
Oeのブランチを観測した。これらの結果を、圧力下において特異な超伝導状態を示すCeInの実験結果や、さらにはエネルギーバンド計算との結果と比較を行った。
松田 達磨; 芳賀 芳範; 池田 修悟; 宍戸 寛明*; 摂待 力生*; 播磨 尚朝*; 大貫 惇睦
Journal of the Physical Society of Japan, 74(12), p.3276 - 3282, 2005/12
被引用回数：11 パーセンタイル：55.59(Physics, Multidisciplinary)ThInの純良単結晶育成をインジウムフラックス法により成功した。この試料を用いて電気抵抗,磁化率,ドハース・ファンアルフェン効果測定を行った。トリウムは、その電子配置に電子を持たないため、劇的な物性異常は期待できないが、化合物中において価数が4価であることが期待されるため、遍歴的な電子状態を持つセリウム化合物の電子状態を研究するうえで、極めて良い参照物質となる。今回の研究では、ドハース・ファンアルフェン効果測定の結果を圧力下で行われたCeInの実験結果やエネルギーバンド計算の結果と比較を行った。バンド計算の結果と極めて良い一致を示す一方、CeInとの比較においては、小さいフェルミ面の極値断面積に違いがあることが明らかとなった。さらに、サイクロトロン有効質量については、CeInにおいて100倍近くも増強されていることが明らかとなった。
Sb
松田 達磨; 阿部 敬介*; 綿貫 文人*; 菅原 仁*; 青木 勇二*; 佐藤 英行*; 稲田 佳彦*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦
Physica B; Condensed Matter, 312-313, p.832 - 833, 2002/03
被引用回数：20 パーセンタイル：67.02(Physics, Condensed Matter)充填スクッテルダイト構造をもつ物質は、多彩かつ特異な物性を示すことから近年強相関電子系の研究において注目を集めている物質である。中でもPr元素を含む化合物は、これまでにない異常な物性を示すことが知られている。そこでわれわれはこれらの系統的電子構造の解明を目的としてPrRuSbのドハースファンアルフェン効果測定を行い、フェルミ面を明らかにした。その結果、PrRuSb のフェルミ面の構造は、LaRuSbと非常に良い一致を見せることがわかった。この結果は、元素を置き換えたPrFePにおいて、LaFePのフェルミ面の構造と大きくことなることや、重い電子状態が観測されたこととは、ことなる結果である。このことは、充填スクッテルダイト構造をとる化合物の物性を特徴付けるf電子と伝導電子間の混成の強弱が、元素の置き換えによる格子定数の変化に敏感であることを示している。
Ge; de Haas-van Alphen study芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 仲村 愛*; 本多 史憲*; 青木 大*; 松本 裕司*; 山村 朝雄*; 白崎 謙次*; 山上 浩志*
no journal, ,
Electronic structure of the actinide compound ThRhGe is investigated using de Haas-van Alphen effect. The peculiar electronic structure possibly arising from the non-centrosymmetric hexagonal crystal structure is discussed.
Geのフェルミ面芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 仲村 愛*; 本多 史憲*; 青木 大*; 松本 裕司*; 山村 朝雄*; 白崎 謙次*; 山上 浩志*; 角田 一樹
no journal, ,
強磁性臨界性が注目されるCeRhGeに対応するTh化合物として、ThRhGeを探索、発見した。バンド計算およびドハース・ファンアルフェン効果によりフェルミ面を実験的に明らかにし、CeRhGeとの比較を行った。
